Hochauflösende, mikrostrukturierte Düsenplatten.
Charakteristika:
applied microSWISS steigert die Herstellung von Düsenplatten auf ein neues Level an Innovation.
Konventionelle Herstellmethoden basieren auf dem kontrollierten überwachsen einer Photoresist-Struktur während der Galvanik. Andere Verfahren basieren auf Laserschneiden, um die Düsenöffnungen herzustellen. Beide Verfahren haben Nachteile in der kritischen Ausführung der Düsenöffnung wie die Geometrie der Düse, Düsenabstand und vor allem Kantenrauheit (Laser-induzierte Spritzer, Kantenaufbau).
Unsere Düsenplatten werden nach dem sehr vielseitigen UV-LiGA Verfahren hergestellt, welches extrem glatte Oberflächen und Rundheit der Düsen liefert. Das Resultat sind sehr gleichmässige Tröpfchen auf der ganzen Düsenpatte. Dies ist ein neuartiges und sehr innovatives, mikrotechnisches Herstellverfahren für Düsenplatten.
Diese hochauflösenden Düsenplatten werden für verschiedene Tröpfchen-erzeugende Systems verwendet, wie z.B. professionelle Tintenstrahl-Drucker oder Einspritzsysteme.
Material: Nickel-Phos12, quervernetzter Photo-Epoxy (SU-8)
Anwendungen: Verschiedene Sprüh- oder Tröpfchen-erzeugende Systems
Spezifikationen:
- Strukturgrösse ≥ 5µm
- Dicke der Düsenplatten = 20 - 500µm
- Material: Nickel, Nickel-Phos12 (580HV), quervernetzter Photoexpoxy (SU-8)
- Aspektverhältnis = 5 - 6 (hängt vom Mikrostrukturdesign ab)
- EXKLUSIV: Einstellbare konische Düsenlöcher ‹ 15°
- Herstellung gemäss angepasstem LiGA-Verfahren
- Mehrlagige Struktur-Architekturen möglich (z.B. für integrierte Mikrofluidik)
- Richtgenauigkeit: Lage-zu-Lage ≤ 3μm
- Maximale strukturierte Fläche = 200 x 200mm
- Parallelität Frontseite-zu-Rückseite ≤ 10μm
- Optional: PVD-Beschichtungen
- Kompatible Photoresiste für UV-Lithographie:
AZ Positive-ton Resiste, Microchem SU-8
Klicken Sie hier für ein entsprechendes PDF-Dokument
1. Konvertierung der Kundendaten in ein Maskendesign
2. Herstellung eines Maskensatzes
3. UV-Lithographie mit einem Photoresist beschichteten Substrat =» Resist-Master
4. Vorbereitung des Masters für die Nickel-Galvanik
5. Entfernung von Wafer und Resist