Mikrostrukturierte Schattenmasken.
Charakteristika:
applied microSWISS steigert die Herstellung von mikrostrukturierten Schattenmasken auf ein neues Level an Innovation und Designfreiheit.
Konventionelle Herstellmethoden basieren auf dem kontrollierten überwachsen einer Photoresist-Struktur während der Galvanik. Andere Verfahren basieren auf Laserschneiden, um die Schattenmasken herzustellen. Beide Verfahren haben Nachteile in der kritischen Ausführung der Masken wie die Geometrie der Öffnungen, minimale Abstände und vor allem Oberflächen-Rauheit (Laser-induzierte Spritzer, Kantenaufbau).
Unsere hochauflösenden Schattenmasken werden nach dem sehr vielseitigen UV-LiGA Prozess hergestellt. Dabei wird eine invertierte Form des Bauteils in einem dicken Photoresist erzeugt und anschliessend galvanisch aufgefüllt. Gleich wie bei der Herstellung von Düsenplatten kommt hier die exklusive Herstellmöglichkeit von konischen Querschnitten (durch geneigte Seitenflächen) zur Anwendung. Damit lassen sich Abschattungseffekte am Rand der Schattenmaske bei PVD und CVD-Prozessen reduzieren.
Material: Nickel, Nickel-Phos12 (580HV)
Anwendung: Hochtemperatur-feste Schattenmasken für PVD oder CVD-Prozesse.
Spezifikationen:
- Strukturgrösse ≥ 5µm
- Dicke der Düsenplatten = 20 - 500µm
- Material: Nickel, Nickel-Phos12 (580HV), quervernetzter Photoexpoxy (SU-8)
- Aspektverhältnis = 5 - 6 (hängt vom Mikrostrukturdesign ab)
- EXKLUSIV: Einstellbarer konischer Maskenquerschnitt ‹ 15°
- Herstellung gemäss angepasstem LiGA-Verfahren
- Mehrlagige Struktur-Architekturen möglich
- Richtgenauigkeit: Lage-zu-Lage ≤ 3μm
- Maximale strukturierte Fläche = 200 x 200mm
- Parallelität Frontseite-zu-Rückseite ≤ 10μm
- Optional: PVD-Beschichtungen
- Kompatible Photoresiste für UV-Lithographie:
AZ Positive-ton Resiste, Microchem SU-8
Klicken Sie hier für ein entsprechendes PDF-Dokument
1. Konvertierung der Kundendaten in ein Maskendesign
2. Herstellung eines Maskensatzes
3. UV-Lithographie mit einem Photoresist beschichteten Substrat =» Resist-Master
4. Vorbereitung des Masters für die Nickel-Galvanik
5. Entfernung von Wafer und Resist